產(chǎn)品分類
MBE分子束外延設備
分子束外延薄膜生長設備（MBE）（分子束外延MBE）該設備可以在某些襯底上實現(xiàn)外延生長工藝，實現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等?？梢赃M行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。 分子束外延薄膜生長設備在薄膜外延生長時具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。
- 產(chǎn)品描述
-
分子束外延薄膜生長設備（MBE）（分子束外延MBE）該設備可以在某些襯底上實現(xiàn)外延生長工藝，實現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等?？梢赃M行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。
分子束外延薄膜生長設備在薄膜外延生長時具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。
我公司設計制造的分子束外延薄膜生長實驗設備，分實驗型和生產(chǎn)型兩種 ，配置合理，結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，技術先進，性能可靠，用途多，實用性強，價格相對較低，可供各大學的實驗室及科研機構(gòu)作為分子束外延方面的教學實驗、科學研究及工藝實驗之用。生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。
功能特點
本項目于2005年在國內(nèi)率先完成了成套MBE的全國產(chǎn)化研發(fā)設計和制造，做到自主可控。自主設計MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、RHEED原位實時在線監(jiān)控儀、直線型電子槍、高溫束源爐、束源爐電源、高溫樣品臺、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）等核心部件。
可實現(xiàn)第二代半導體（如砷化鎵等）和第三代半導體（如碳化硅和氮化鎵）的外延生長。經(jīng)過十幾年的工藝探索， 設備設計不斷升級， 已具備設計制造生產(chǎn)型 MBE設備的能力。設備配置合理，結(jié)構(gòu)簡單，技術先進，性能可靠，用途多， 實用性強， 性能價格比高。
設備組成與主要技術指標
設備的組成
進樣室
該室用于樣品的進出倉，并配置有多樣片儲存功能。樣品庫可放六片基片。
預處理室
該室用于樣品在進入外延室之前進行真空等離子剝離式清洗和真空高溫除氣，及其他前期工藝處理。還用于對外延后的樣片進行后工藝處理，如高溫退火等等。
外延室
超高真空潔凈真空室，實現(xiàn)分子束外延工藝。
分子束外延薄膜生長設備（MBE）（分子束外延MBE）主要技術指標
進樣室
極限真空：5.0×10-5Pa
樣品裝載數(shù)量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，帶樣品載具）
預處理室
極限真空：5×10-7Pa
樣品臺加熱溫度：室溫～ 850℃±1℃（PID 控制）
離子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV
外延室項目
參數(shù)
極限真空 離子泵8.0× 10-9 Pa（冷阱輔助）/低溫泵 樣品臺加熱溫度 室溫～ 1200℃±1℃（PID 控制） 樣品自轉(zhuǎn)速度 2 ～ 20 轉(zhuǎn) / 每分鐘（無級可調(diào)） 氣態(tài)離化源 1～2套（氮） 固態(tài)束源爐 3 ～ 10 套（根據(jù)用戶需求配置） Rheed 1套 *工藝室部分部件根據(jù)客戶需求不同，所配置不同。
實驗型MBE（單基片）
設備組件
超高真空直線型電子槍
自主研發(fā)直線型電子槍，滿足超高真空和束源爐法蘭接口及安裝尺寸的要求；可用于高溫難融材料的加熱蒸發(fā)。
超高真空直線型電子槍
高能衍射槍及電源
束斑0.6mm，高壓25kV。
光斑在熒光屏上可衍射圖像經(jīng)CCD 相機采集后由計算機進行圖像處理。
生產(chǎn)型MBE（大尺寸 單基片，多片小尺寸）
工藝實現(xiàn)
使用鵬城半導體自主研發(fā)的分子束外延設備生長的Bi2-xSbxTe3。
獲取報價
相關產(chǎn)品
聯(lián)系人：戴小姐
地址：廣東省深圳市南山區(qū)留仙大道3370號南山智園崇文園區(qū)1號樓
沈陽辦公地址：遼寧省沈陽市大東區(qū)望花南街15號
電話：13632750017
郵箱：sales@hitsemi.com
在線留言