產(chǎn)品分類
生產(chǎn)型 TGV/TSV /TMV 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)
生產(chǎn)型TGV/TSV/TMV高真空磁控濺射鍍膜機(jī)（Sputter-2000W系列）該設(shè)備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。
- 產(chǎn)品描述
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生產(chǎn)型TGV/TSV/TMV 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)（Sputter-2000W系列）該設(shè)備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如：用于基板鍍膜工序Cu/Ti微結(jié)構(gòu)，Au/TiW傳輸導(dǎo)線雙體系膜層淀積能力，為微系統(tǒng)集成密度提升提供支撐。
本設(shè)備優(yōu)點(diǎn)：膜層均勻性及重復(fù)性高，膜層附著力強(qiáng)，設(shè)備依據(jù)工藝配方進(jìn)行可編程自動(dòng)化控制。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)
- 單鍍膜室、雙鍍膜室、多腔體鍍膜室
- 臥式結(jié)構(gòu)、立式結(jié)構(gòu)
- 線列式、團(tuán)簇式
- 樣品傳遞：直線式、圓周式
- 磁控濺射靶數(shù)量及類型：多支矩形磁控靶
- 磁控濺射靶：直流、射頻、中頻、高能脈沖兼容
- 基片可加熱、可升降、可加偏壓
- 通入反應(yīng)氣體，可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜
- 操作方式：手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)
- 基片托架：根據(jù)基片尺寸配置
- 基片幅面：2、4、6、8、10英寸及客戶指定尺寸
- 進(jìn)/出樣室極限真空度：≤8X10-5Pa
- 進(jìn)/出樣室工作背景真空度：≤2X10-3Pa
- 鍍膜室的極限真空度：5X10-5Pa,
工作背景真空度：8X10-4Pa
- 膜層均勻性：<5%（片內(nèi)），<5%（片間）
- 設(shè)備總體漏放率：關(guān)機(jī)12小時(shí)真空度≤10Pa
工作條件類型 參數(shù) 備注 供電 ～380V 三相五線制 功率 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置 冷卻水循環(huán) 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置 水壓 1.0～1.5×105Pa 制冷量 根據(jù)散熱量配置 水溫 18～25℃ 氣動(dòng)部件供氣壓力 0.5MPa～0.7MPa 質(zhì)量流量控制器供氣壓力 0.05MPa～0.2MPa 工作環(huán)境溫度 10℃～40℃ 工作環(huán)境濕度 ≤50% 
獲取報(bào)價(jià)
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