為您提供高性價比真空鍍膜設(shè)備解決方案《520愛情風(fēng)暴來襲》
真空鍍膜設(shè)備的薄膜制作過程,簡單來說就是將一種材料(薄膜材料)轉(zhuǎn)移到另一種材料(基底)的表面,形成和基底牢固結(jié)合的薄膜的過程。所以,任何的真空鍍膜薄膜制作方法都包括:源蒸發(fā)、遷移和凝聚三個重要環(huán)節(jié)。
一、鍍膜蒸發(fā)源
“源"的作用是提供鍍膜的材料(或被鍍材料中的某種組分)。通過物理或化學(xué)的方法使鍍膜材料成為氣態(tài)物質(zhì)。
二、遷移過程
遷移過程都是在氣相中進(jìn)行的,在氣態(tài)物質(zhì)遷移時,為了保證膜層的質(zhì)量,一般都是在真空或惰性氣氛中進(jìn)行,并施加電場、磁場或高頻等外界條件來進(jìn)行活化以增加到達(dá)基底上的氣態(tài)物質(zhì)的能量,提供氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)的能量,即提供氣態(tài)物質(zhì)反應(yīng)的激活能。
三、凝膜
薄膜在基底上的形成過程是一個復(fù)雜的過程,它包括:膜的形核、長大,膜與基底表面的相互作用等等。
近年來,真空鍍膜設(shè)備的薄膜制作還在基底上施加電場、磁場、離子束轟擊等輔助手段,其目的都是為了控制疑聚成膜的質(zhì)量和性能。根據(jù)成膜方法的基本原理,可以將其分為物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)和兼有物理和化學(xué)方法的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法等。
多功能磁控濺射儀
熱絲CVD金剛石設(shè)備
分子束外延系統(tǒng)MBE設(shè)備
電子束蒸鍍機(jī)
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備
高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)
化學(xué)氣相沉積LPCVD設(shè)備
--本文由真空鍍膜設(shè)備廠家鵬城半導(dǎo)體發(fā)布
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