国产精品自拍一区|久久性爱免费视频|第一页在线观看|国产精品永久免费高清,91fuli,在线黄页视频,www干干干操操操

離子鍍膜設(shè)備的工作是什么原理


發(fā)布時(shí)間:

2023-02-13

離子鍍膜設(shè)備起源于20世紀(jì)50年代D.M.Maiox提出的理論,且在當(dāng)時(shí)開(kāi)始有了對(duì)應(yīng)的實(shí)驗(yàn);直到1971年,Chamber等發(fā)表電子束離子鍍膜技術(shù);而反應(yīng)蒸鍍(ARE)技術(shù)則是在1972年的Bunshah報(bào)告所指出,此時(shí)產(chǎn)生了TC及TN等超硬質(zhì)的薄膜類(lèi)型;同樣是在1972年,Smith和Moley在鍍膜工藝中采用了空心陰極技術(shù)。到了20世紀(jì)80年代,我國(guó)離子鍍終于達(dá)到工業(yè)應(yīng)用的水準(zhǔn),相繼出現(xiàn)了真空多弧離子鍍及電弧放電型離子鍍等鍍膜工藝。

  離子鍍膜設(shè)備起源于20世紀(jì)50年代D.M.Maiox提出的理論,且在當(dāng)時(shí)開(kāi)始有了對(duì)應(yīng)的實(shí)驗(yàn);直到1971年,Chamber等發(fā)表電子束離子鍍膜技術(shù);而反應(yīng)蒸鍍(ARE)技術(shù)則是在1972年的Bunshah報(bào)告所指出,此時(shí)產(chǎn)生了TC及TN等超硬質(zhì)的薄膜類(lèi)型;同樣是在1972年,Smith和Moley在鍍膜工藝中采用了空心陰極技術(shù)。到了20世紀(jì)80年代,我國(guó)離子鍍終于達(dá)到工業(yè)應(yīng)用的水準(zhǔn),相繼出現(xiàn)了真空多弧離子鍍及電弧放電型離子鍍等鍍膜工藝。 
  真空離子鍍的整個(gè)工作過(guò)程是:首先先將真空室抽真空,待至真空環(huán)境壓力抽至4X10-3Pa之上,需要把高壓電源接通,在基材與蒸發(fā)器間構(gòu)建一個(gè)低壓放電氣體的等離子低溫區(qū)域。用50OV直流負(fù)高壓連接基材電極,從而形成陰極的輝光放電。惰性氣體離子是在負(fù)輝光區(qū)附近產(chǎn)生的,其進(jìn)入陰極暗區(qū)被電場(chǎng)加速并對(duì)基材表面進(jìn)行轟擊,這是一個(gè)清洗過(guò)程,之后就進(jìn)入鍍膜過(guò)程,通過(guò)轟擊加熱的作用,氣化一些鍍料,等離子區(qū)內(nèi)進(jìn)入原子,與電子及惰性氣體離子產(chǎn)生碰撞,也有少部分發(fā)生離化,對(duì)于這些離化后的離子擁有高能量會(huì)對(duì)薄膜表面進(jìn)行轟擊,一定程度上會(huì)改善膜層質(zhì)量。 
  真空離子鍍的原理是:在真空室中,利用氣體的放電現(xiàn)象或蒸發(fā)物質(zhì)的離化部分,在蒸發(fā)物質(zhì)離子或氣體離子的轟擊作用下,同時(shí)沉積這些蒸發(fā)物或其反應(yīng)物在基材上得到薄膜。離子鍍膜設(shè)備把真空蒸發(fā)、等離子體技術(shù)與氣體輝光放電這三項(xiàng)技術(shù)結(jié)合起來(lái),不單是使膜層質(zhì)量明顯改進(jìn)了,而且還讓薄膜應(yīng)用范圍擴(kuò)大了。該工藝的優(yōu)點(diǎn)是繞射性強(qiáng)、薄膜附著力好、可鍍膜材多樣等。離子鍍?cè)硎怯蒁.M.Matox首次提出的,離子鍍有很多種類(lèi),較為常見(jiàn)的是蒸發(fā)加熱方式這一類(lèi),有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱等各種加熱方式的離子鍍膜裝置。

新聞中心

展會(huì)邀請(qǐng)丨鵬城半導(dǎo)體誠(chéng)邀您蒞臨2025中國(guó)材料大會(huì)!

“中國(guó)材料大會(huì)2025”將于2025年7月5-8日在福建省廈門(mén)國(guó)際會(huì)展中心舉行,大會(huì)預(yù)計(jì)規(guī)模30000人,擬設(shè)115個(gè)國(guó)內(nèi)(際)分會(huì),涵蓋能源材料、環(huán)境材料、先進(jìn)結(jié)構(gòu)材料、功能材料、材料設(shè)計(jì)制備與評(píng)價(jià)等5大類(lèi)主題;同時(shí)開(kāi)設(shè)一批特色論壇,包括青年論壇、特色新材料論壇、材料教育論壇、材料期刊論壇等,除此之外,還同期舉行國(guó)際新材料科研儀器與設(shè)備展覽會(huì)等。

鵬城半導(dǎo)體亮相聚焦“卡脖子”和“前沿必爭(zhēng)”領(lǐng)域-2025中國(guó)材料大會(huì)

“中國(guó)材料大會(huì)2025”:作為新材料領(lǐng)域國(guó)家級(jí)學(xué)術(shù)品牌大會(huì),面向國(guó)家重大需求,匯聚最權(quán)威的專(zhuān)家學(xué)者和國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略科技力量,聚焦“卡脖子”領(lǐng)域和“前沿必爭(zhēng)”領(lǐng)域的關(guān)鍵突破,推動(dòng)高端學(xué)術(shù)研討,解決行業(yè)發(fā)展中重大共性問(wèn)題和新興產(chǎn)業(yè)推進(jìn)中重大難題,搶占全球新材料發(fā)展的學(xué)術(shù)制高點(diǎn),形成體系化國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略布局,為推動(dòng)我國(guó)新質(zhì)生產(chǎn)力建設(shè)打造堅(jiān)實(shí)的物質(zhì)基礎(chǔ)與保障。

全球MBE市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng),中國(guó)鵬城半導(dǎo)體突破技術(shù)壟斷

2021年,全球分子束外延(MBE)系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模約為5.5億元人民幣,展望至2028年,這一數(shù)字預(yù)計(jì)將攀升至9.6億元,意味著在2022至2028年間,該市場(chǎng)將以8.3%的年復(fù)合增長(zhǎng)率持續(xù)壯大。分子束外延系統(tǒng)在半導(dǎo)體及基礎(chǔ)材料研究領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用,其消費(fèi)主力軍包括歐洲、美國(guó)、日本以及中國(guó)等工業(yè)體系完備的國(guó)家,它們共同占據(jù)了全球超過(guò)八成的市場(chǎng)份額。

轉(zhuǎn)發(fā) 科創(chuàng)要聞 | 豐富形式促服務(wù) 精準(zhǔn)服務(wù)助創(chuàng)新

2025年5月15日是全省第十九個(gè)“政務(wù)公開(kāi)日”,圍繞“深化政務(wù)公開(kāi)、助力決戰(zhàn)決勝”的活動(dòng)主題,沈陽(yáng)市科技創(chuàng)新服務(wù)中心以政務(wù)公開(kāi)為契機(jī),結(jié)合沈陽(yáng)市科技創(chuàng)新政策宣傳與助企服務(wù)需求,開(kāi)展了專(zhuān)題調(diào)研走訪(fǎng)活動(dòng)。此次調(diào)研的為鵬城微納技術(shù)(沈陽(yáng))有限公司,旨在宣傳沈陽(yáng)市科技創(chuàng)新平臺(tái)建設(shè)成效、科技條件平臺(tái)資源共享及創(chuàng)新券政策落實(shí)成果,推動(dòng)沈陽(yáng)市科技中介服務(wù)聯(lián)盟協(xié)同發(fā)展,進(jìn)一步優(yōu)化營(yíng)商環(huán)境,助力企業(yè)創(chuàng)新突破。

薄膜沉積設(shè)備

薄膜沉積設(shè)備分類(lèi)薄膜沉積是指在硅片等襯底上沉積待處理的薄膜材料,所沉積薄膜材料主要是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬,沉積膜可為無(wú)定形、多晶的或者單晶。