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喜報(bào)!熱烈祝賀鵬城半導(dǎo)體獲得國家發(fā)明專利證書


發(fā)布時(shí)間:

2024-12-16

熱烈祝賀鵬城半導(dǎo)體《一種插板閥以及立式雙室熱絲CVD系統(tǒng)》發(fā)明專利獲得國家知識產(chǎn)權(quán)局授權(quán),并于2024年12月10日獲得國家發(fā)明專利證書。

熱烈祝賀鵬城半導(dǎo)體一種插板閥以及立式雙室熱絲CVD系統(tǒng)》發(fā)明專利獲得國家知識產(chǎn)權(quán)局授權(quán),并于2024年12月10日獲得國家發(fā)明專利證書。

在科技創(chuàng)新的浪潮中,鵬城半導(dǎo)體再次以卓越的研發(fā)實(shí)力和深厚的技術(shù)積累,贏得了國家發(fā)明專利證書的殊榮。

這一里程碑式的成就不僅是對鵬城半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力的有力證明,更是其在半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕細(xì)作、持續(xù)探索的璀璨結(jié)晶。插板閥及立式雙室熱絲CVD系統(tǒng)的發(fā)明專利,不僅意味著鵬城半導(dǎo)體在高端設(shè)備制造技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了重大突破,還預(yù)示著公司在提升半導(dǎo)體材料制備效率與質(zhì)量方面邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。此專利的獲得,將為公司進(jìn)一步拓展國內(nèi)外市場、深化與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的合作奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),同時(shí)也為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控和高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)了寶貴力量。鵬城半導(dǎo)體將繼續(xù)秉承創(chuàng)新精神,致力于更多核心技術(shù)的研發(fā)與突破,為推動(dòng)中國半導(dǎo)體行業(yè)的蓬勃發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

 

新聞中心

鵬城半導(dǎo)體亮相聚焦“卡脖子”和“前沿必爭”領(lǐng)域-2025中國材料大會(huì)

“中國材料大會(huì)2025”:作為新材料領(lǐng)域國家級學(xué)術(shù)品牌大會(huì),面向國家重大需求,匯聚最權(quán)威的專家學(xué)者和國家級戰(zhàn)略科技力量,聚焦“卡脖子”領(lǐng)域和“前沿必爭”領(lǐng)域的關(guān)鍵突破,推動(dòng)高端學(xué)術(shù)研討,解決行業(yè)發(fā)展中重大共性問題和新興產(chǎn)業(yè)推進(jìn)中重大難題,搶占全球新材料發(fā)展的學(xué)術(shù)制高點(diǎn),形成體系化國家級戰(zhàn)略布局,為推動(dòng)我國新質(zhì)生產(chǎn)力建設(shè)打造堅(jiān)實(shí)的物質(zhì)基礎(chǔ)與保障。

全球MBE市場穩(wěn)步增長,中國鵬城半導(dǎo)體突破技術(shù)壟斷

2021年,全球分子束外延(MBE)系統(tǒng)市場規(guī)模約為5.5億元人民幣,展望至2028年,這一數(shù)字預(yù)計(jì)將攀升至9.6億元,意味著在2022至2028年間,該市場將以8.3%的年復(fù)合增長率持續(xù)壯大。分子束外延系統(tǒng)在半導(dǎo)體及基礎(chǔ)材料研究領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用,其消費(fèi)主力軍包括歐洲、美國、日本以及中國等工業(yè)體系完備的國家,它們共同占據(jù)了全球超過八成的市場份額。

轉(zhuǎn)發(fā) 科創(chuàng)要聞 | 豐富形式促服務(wù) 精準(zhǔn)服務(wù)助創(chuàng)新

2025年5月15日是全省第十九個(gè)“政務(wù)公開日”,圍繞“深化政務(wù)公開、助力決戰(zhàn)決勝”的活動(dòng)主題,沈陽市科技創(chuàng)新服務(wù)中心以政務(wù)公開為契機(jī),結(jié)合沈陽市科技創(chuàng)新政策宣傳與助企服務(wù)需求,開展了專題調(diào)研走訪活動(dòng)。此次調(diào)研的為鵬城微納技術(shù)(沈陽)有限公司,旨在宣傳沈陽市科技創(chuàng)新平臺(tái)建設(shè)成效、科技條件平臺(tái)資源共享及創(chuàng)新券政策落實(shí)成果,推動(dòng)沈陽市科技中介服務(wù)聯(lián)盟協(xié)同發(fā)展,進(jìn)一步優(yōu)化營商環(huán)境,助力企業(yè)創(chuàng)新突破。

薄膜沉積設(shè)備

薄膜沉積設(shè)備分類薄膜沉積是指在硅片等襯底上沉積待處理的薄膜材料,所沉積薄膜材料主要是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬,沉積膜可為無定形、多晶的或者單晶。

展會(huì)邀請|鵬城半導(dǎo)體誠邀您參加第七屆全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會(huì)

第七屆全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會(huì)將于2025年5月8日-10日在重慶國際博覽中心舉辦,此次博覽會(huì)以“新時(shí)代·創(chuàng)造芯未來”為主題,展示面積達(dá)40000㎡,參展企業(yè)800家,吸引35000名專業(yè)觀眾到場參觀交流。