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邀請(qǐng)函|2024全國(guó)先進(jìn)涂層與薄膜技術(shù)應(yīng)用發(fā)展大會(huì)(6.18-19蘇州)


發(fā)布時(shí)間:

2024-06-11

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于市場(chǎng)前沿、產(chǎn)業(yè)前沿和技術(shù)前沿的交叉點(diǎn),尋求創(chuàng)新引領(lǐng)與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國(guó)產(chǎn)化難題,爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

  公司簡(jiǎn)介

  鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于市場(chǎng)前沿、產(chǎn)業(yè)前沿和技術(shù)前沿的交叉點(diǎn),尋求創(chuàng)新引領(lǐng)與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國(guó)產(chǎn)化難題,爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
  公司核心業(yè)務(wù)是微納材料(含半導(dǎo)體材料)、微納制造工藝、微納裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。
  科研型設(shè)備:PVD、CVD、MBE分子束外延等。
  工業(yè)生產(chǎn)型設(shè)備:大型蒸鍍?cè)O(shè)備、多弧離子源鍍膜設(shè)備、矩形磁控濺射鍍膜設(shè)備、電子束蒸發(fā)設(shè)備、OLED鍍膜設(shè)備、HFCVD熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備、真空高溫CVD爐、六英寸MBE生產(chǎn)設(shè)備。
  公司技術(shù)和產(chǎn)品可以廣泛應(yīng)用于:新材料、新能源、微電子光電子、半導(dǎo)體、聲學(xué)、光學(xué)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS);傳感器、生物醫(yī)學(xué)、精準(zhǔn)醫(yī)療、大健康、環(huán)保、微納機(jī)器人、表面技術(shù)等領(lǐng)域。
  公司核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整,有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì),還有來(lái)自工業(yè)界的高級(jí)裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)。公司團(tuán)隊(duì)具有20多年的微納材料與器件研究(含半導(dǎo)體材料)、PVD/CVD沉積技術(shù)研究、外延技術(shù)研究、薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。
  HFCVD熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備

金剛石薄膜生產(chǎn)線

  研發(fā)設(shè)計(jì)制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備,分為實(shí)驗(yàn)型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。
  設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發(fā)和生產(chǎn)。可用于力學(xué)級(jí)別、熱學(xué)級(jí)別、光學(xué)級(jí)別、聲學(xué)級(jí)別的金剛石產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)。
  可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片,用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。
  可用于生產(chǎn)制造防腐耐磨硬質(zhì)涂層;環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的金剛石產(chǎn)品。
  可用于平面工件的金剛石薄膜制備,也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。
  可用于太陽(yáng)能薄膜電池的研發(fā)與生產(chǎn)。

熱絲CVD金剛石設(shè)備

  高真空磁控濺射儀(實(shí)驗(yàn)型、生產(chǎn)型)

實(shí)驗(yàn)型-高真空磁控濺射儀

  高真空磁控濺射儀是用磁控濺射的方法,制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等;適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜;可鍍制磁性材料和非磁性材料。

生產(chǎn)型-高真空磁控濺射儀

  分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備(MBE)

  分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備(MBE)可以在某些襯底上實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)工藝,實(shí)現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等??梢赃M(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長(zhǎng)制造。
  分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備在薄膜外延生長(zhǎng)時(shí)具有超高的真空環(huán)境,是在理想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長(zhǎng),它可以排除在薄膜生長(zhǎng)時(shí)的各種干擾因素,得到理想的高精度薄膜。
  我公司設(shè)計(jì)制造的分子束外延薄膜生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)設(shè)備,分實(shí)驗(yàn)型和生產(chǎn)型兩種,配置合理,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,操作方便,技術(shù)先進(jìn),性能可靠,用途多,實(shí)用性強(qiáng),價(jià)格相對(duì)較低,可供各大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室及科研機(jī)構(gòu)作為分子束外延方面的教學(xué)實(shí)驗(yàn)、科學(xué)研究及工藝實(shí)驗(yàn)之用。
  生產(chǎn)型MBE可用于批量外延片的制備。

  PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

  PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長(zhǎng);采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù),是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。

  會(huì)議名稱:2024全國(guó)先進(jìn)涂層與薄膜技術(shù)應(yīng)用發(fā)展大會(huì)
  會(huì)議時(shí)間:6.18-19
  會(huì)議地點(diǎn):蘇州-在水一方大酒店,江蘇省蘇州市相城區(qū)尊園路1號(hào)

新聞中心

鵬城半導(dǎo)體亮相聚焦“卡脖子”和“前沿必爭(zhēng)”領(lǐng)域-2025中國(guó)材料大會(huì)

“中國(guó)材料大會(huì)2025”:作為新材料領(lǐng)域國(guó)家級(jí)學(xué)術(shù)品牌大會(huì),面向國(guó)家重大需求,匯聚最權(quán)威的專家學(xué)者和國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略科技力量,聚焦“卡脖子”領(lǐng)域和“前沿必爭(zhēng)”領(lǐng)域的關(guān)鍵突破,推動(dòng)高端學(xué)術(shù)研討,解決行業(yè)發(fā)展中重大共性問(wèn)題和新興產(chǎn)業(yè)推進(jìn)中重大難題,搶占全球新材料發(fā)展的學(xué)術(shù)制高點(diǎn),形成體系化國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略布局,為推動(dòng)我國(guó)新質(zhì)生產(chǎn)力建設(shè)打造堅(jiān)實(shí)的物質(zhì)基礎(chǔ)與保障。

全球MBE市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng),中國(guó)鵬城半導(dǎo)體突破技術(shù)壟斷

2021年,全球分子束外延(MBE)系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模約為5.5億元人民幣,展望至2028年,這一數(shù)字預(yù)計(jì)將攀升至9.6億元,意味著在2022至2028年間,該市場(chǎng)將以8.3%的年復(fù)合增長(zhǎng)率持續(xù)壯大。分子束外延系統(tǒng)在半導(dǎo)體及基礎(chǔ)材料研究領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用,其消費(fèi)主力軍包括歐洲、美國(guó)、日本以及中國(guó)等工業(yè)體系完備的國(guó)家,它們共同占據(jù)了全球超過(guò)八成的市場(chǎng)份額。

轉(zhuǎn)發(fā) 科創(chuàng)要聞 | 豐富形式促服務(wù) 精準(zhǔn)服務(wù)助創(chuàng)新

2025年5月15日是全省第十九個(gè)“政務(wù)公開(kāi)日”,圍繞“深化政務(wù)公開(kāi)、助力決戰(zhàn)決勝”的活動(dòng)主題,沈陽(yáng)市科技創(chuàng)新服務(wù)中心以政務(wù)公開(kāi)為契機(jī),結(jié)合沈陽(yáng)市科技創(chuàng)新政策宣傳與助企服務(wù)需求,開(kāi)展了專題調(diào)研走訪活動(dòng)。此次調(diào)研的為鵬城微納技術(shù)(沈陽(yáng))有限公司,旨在宣傳沈陽(yáng)市科技創(chuàng)新平臺(tái)建設(shè)成效、科技條件平臺(tái)資源共享及創(chuàng)新券政策落實(shí)成果,推動(dòng)沈陽(yáng)市科技中介服務(wù)聯(lián)盟協(xié)同發(fā)展,進(jìn)一步優(yōu)化營(yíng)商環(huán)境,助力企業(yè)創(chuàng)新突破。

薄膜沉積設(shè)備

薄膜沉積設(shè)備分類薄膜沉積是指在硅片等襯底上沉積待處理的薄膜材料,所沉積薄膜材料主要是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬,沉積膜可為無(wú)定形、多晶的或者單晶。

展會(huì)邀請(qǐng)|鵬城半導(dǎo)體誠(chéng)邀您參加第七屆全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會(huì)

第七屆全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會(huì)將于2025年5月8日-10日在重慶國(guó)際博覽中心舉辦,此次博覽會(huì)以“新時(shí)代·創(chuàng)造芯未來(lái)”為主題,展示面積達(dá)40000㎡,參展企業(yè)800家,吸引35000名專業(yè)觀眾到場(chǎng)參觀交流。