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生產(chǎn)型 TGV/TSV/TMV

發(fā)布時(shí)間：

2024-12-27

生產(chǎn)型 TGV/TSV 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)該設(shè)備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如：用于基板鍍膜工序Cu/Ti微結(jié)構(gòu)，Au/TiW傳輸導(dǎo)線雙體系膜層淀積能力，為微系統(tǒng)集成密度提升提供支撐。

　　生產(chǎn)型 TGV/TSV/TMV 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)該設(shè)備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如：用于基板鍍膜工序Cu/Ti微結(jié)構(gòu)，Au/TiW傳輸導(dǎo)線雙體系膜層淀積能力，為微系統(tǒng)集成密度提升提供支撐。

設(shè)備優(yōu)點(diǎn)：膜層均勻性及重復(fù)性高，膜層附著力強(qiáng)，設(shè)備依據(jù)工藝配方進(jìn)行可編程自動(dòng)化控制。

設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)

-單鍍膜室、雙鍍膜室、多腔體鍍膜室

-臥式結(jié)構(gòu)、立式結(jié)構(gòu)

-線列式、團(tuán)簇式

-樣品傳遞：直線式、圓周式

-磁控濺射靶數(shù)量及類型：多支矩形磁控靶

-磁控濺射靶：直流、射頻、中頻、高能脈沖兼容

-基片可加熱、可升降、可加偏壓

-通入反應(yīng)氣體，可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜

-操作方式：手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)

-基片托架：根據(jù)基片尺寸配置

-基片幅面：2、4、6、8、10英寸及客戶指定尺寸

-進(jìn)/出樣室極限真空度：≤8X10-5Pa

-進(jìn)/出樣室工作背景真空度：≤2X10-3Pa

-鍍膜室的極限真空度：5X10-5Pa，

  工作背景真空度：8X10-4Pa

-膜層均勻性：<5%（片內(nèi)），<5%（片間）

-設(shè)備總體漏放率：關(guān)機(jī)12小時(shí)真空度≤10Pa

新聞中心

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