PECVD設(shè)備
關(guān)鍵詞：
產(chǎn)品
新聞
PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。
最新產(chǎn)品
聯(lián)系人：戴小姐
地址：廣東省深圳市南山區(qū)留仙大道3370號南山智園崇文園區(qū)1號樓
沈陽辦公地址：遼寧省沈陽市大東區(qū)望花南街15號
電話：13632750017
郵箱：sales@hitsemi.com
在線留言